CHZ180AaSEB

United Monolithic Semiconductors 的 CHZ180AaSEB 是一款 L 波段 GaN HEMT 晶体管，工作频率为 1.2 至 1.4 GHz。它提供 180 W 的饱和输出功率，增益为 20 dB，PAE 为 52%。该脉冲器件具有 3 ms 的脉冲宽度和 20% 的占空比。

CHZ180AaSEB 采用 GaN HEMT 工艺制造，栅极长度为 0.5μm，基于准 MMIC 技术。它采用密封法兰陶瓷金属功率封装，提供低寄生电阻和热电阻。该放大器适用于 L 波段和脉冲雷达应用。