CHKA011aSXA 是一款 130W 无与伦比的封装氮化镓晶体管。
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CHKA011aSXA
CHKA011aSXA 是一款无与伦比的封装氮化镓高电子迁移率晶体管。
它为各种射频功率应用提供通用和宽带解决方案。它非常适合雷达和电信等多用途应用。
CHKA011aSXA 采用 0.5µm 栅极长度 GaN HEMT 工艺开发。它需要一个外部匹配电路。
它采用陶瓷金属法兰电源封装,符合 RoHs N°2011/65 和 REACH N°1907/2006 指令。
它为各种射频功率应用提供通用和宽带解决方案。它非常适合雷达和电信等多用途应用。
CHKA011aSXA 采用 0.5µm 栅极长度 GaN HEMT 工艺开发。它需要一个外部匹配电路。
它采用陶瓷金属法兰电源封装,符合 RoHs N°2011/65 和 REACH N°1907/2006 指令。
UMS 的 CHKA011aSXA 是一款 GaN 晶体管,在脉冲和 CW 模式下工作频率高达 1.5 GHz。它提供 150 瓦的饱和输出功率(25µs,10% 占空比),效率为 75%。它采用法兰金属陶瓷封装,非常适合雷达和电信应用。该产品采用 0.5µm 栅极长度 GaN HEMT 工艺制造,需要外部匹配网络。
新型 GaN 宽带能力晶体管
产品规格
产品详情
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零件号CHKA011aSXA
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制造商联合单片半导体
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描述从 DC 到 1.5 GHz 的 150 W GaN 晶体管
一般参数
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晶体管类型HEMT
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技术碳化硅上氮化镓、氮化镓
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应用行业雷达,蜂窝
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连续波/脉冲连续波,脉冲
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频率直流至 1.5 GHz
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饱和功率150W(典型值),130W(最小值)
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效率75 %
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电源电压50 伏
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漏电流640毫安
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包装类型法兰式
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包裹陶瓷制品