FLM3742-4F
零件号: FLM3742-4F
功能 :C 波段内部匹配 FET
特征
高输出功率：P1dB = 36.5dBm（典型值）
高增益：G1dB = 12.0dB (Typ.)
高 PAE：hadd = 38%（典型值）
低 IM3 = -46dBc@Po = 25.5dBm
宽带：3.7 至 4.2GHz
阻抗匹配 Zin/Zout = 50Ω
密封封装
描述 FLM3742-4F 是一款功率 GaAs FET，内部匹配标准通信频段，可在 50Ω 系统中提供最佳功率和增益。住友电工严格的质量保证计划可确保最高的可靠性和始终如一的性能。
功能 :C 波段内部匹配 FET
特征
高输出功率：P1dB = 36.5dBm（典型值）
高增益：G1dB = 12.0dB (Typ.)
高 PAE：hadd = 38%（典型值）
低 IM3 = -46dBc@Po = 25.5dBm
宽带：3.7 至 4.2GHz
阻抗匹配 Zin/Zout = 50Ω
密封封装
描述 FLM3742-4F 是一款功率 GaAs FET，内部匹配标准通信频段，可在 50Ω 系统中提供最佳功率和增益。住友电工严格的质量保证计划可确保最高的可靠性和始终如一的性能。
产品规格
产品详情
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零件号FLM3742-4F
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制造商住友电工设备创新
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描述3.7 至 4.2 GHz，增益 GaAs FET
一般参数
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晶体管类型场效应管
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技术砷化镓
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申请类型C波段
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频率3.7 至 4.2 GHz
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力量35.5 至 36.5 dBm
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功率(W)3.55 至 4.47 瓦
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P1dB35.5 至 36.5 dBm
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功率增益 (Gp)11 至 12 分贝
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功率附加效率0.38
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跨导2000 毫秒
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电压 - 栅源 (Vgs)-5 伏
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漏电流1100 至 1300 毫安
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IMD-46 至 -44 dBc
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阻抗 Z50 欧姆
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热阻5 到 6 度 C/W
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包装类型法兰
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包裹我知道
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RoHS是的
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贮存温度-65 至 175 摄氏度
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笔记饱和漏极电流：1950 至 2900 mA，夹断电压：-3.5 至 -1 V，增益平坦度：+/-0.6 dB，通道温升：80 摄氏度
