FLM3439-12F
功能 :C 波段内部匹配 FET
特征
高输出功率：P1dB = 41.5dBm（典型值）
高增益：G1dB = 11.5dB（典型值）
高 PAE：hadd = 40%（典型值）
低 IM3 = -46dBc@Po = 30.5dBm
宽带：3.4 至 3.9GHz
阻抗匹配 Zin/Zout = 50Ω
密封封装
描述 FLM3439-12F 是一款功率 GaAs FET，内部匹配标准通信频段，可在 50Ω 系统中提供最佳功率和增益。住友电工严格的质量保证计划确保最高的可靠性和始终如一的性能
特征
高输出功率：P1dB = 41.5dBm（典型值）
高增益：G1dB = 11.5dB（典型值）
高 PAE：hadd = 40%（典型值）
低 IM3 = -46dBc@Po = 30.5dBm
宽带：3.4 至 3.9GHz
阻抗匹配 Zin/Zout = 50Ω
密封封装
描述 FLM3439-12F 是一款功率 GaAs FET，内部匹配标准通信频段，可在 50Ω 系统中提供最佳功率和增益。住友电工严格的质量保证计划确保最高的可靠性和始终如一的性能
产品规格
产品详情
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零件号FLM3439-12F
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制造商住友电工设备创新
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描述3.4 至 3.9 GHz，增益 GaAs FET
一般参数
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晶体管类型场效应管
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技术砷化镓
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申请类型C波段
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频率3.4 至 3.9 GHz
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力量441.5 分贝
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功率(W)10 至 14.13 瓦
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P1dB40 至 41.5 dBm
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功率增益 (Gp)10.5 至 11.5 分贝
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功率附加效率0.4
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跨导8000 毫秒
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电压 - 栅源 (Vgs)-5 伏
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漏电流3250 至 3800 毫安
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IMD-46 至 -44 dBc
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阻抗 Z50 欧姆
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热阻2.3 到 2.6 摄氏度/W
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包装类型法兰
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包裹国际文凭组织
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RoHS是的
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贮存温度-65 至 175 摄氏度
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笔记饱和漏极电流：5800 至 8700 mA，夹断电压：-3.5 至 -1 V，增益平坦度：+/-0.6 dB，通道温升：80 摄氏度
