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CHA3688aQDG
CHA3688aQDG 是一款三级自偏置宽带单片低噪声放大器单片电路。
该电路采用 pHEMT 工艺制造,栅极长度为 0.25µm,通过衬底通孔、空气桥和电子束栅极光刻。
它采用符合 RoHS 标准的 SMD 封装。
该电路采用 pHEMT 工艺制造,栅极长度为 0.25µm,通过衬底通孔、空气桥和电子束栅极光刻。
它采用符合 RoHS 标准的 SMD 封装。
United Monolithic Semiconductors 的 CHA3688aQDG 是一款射频放大器,频率 12.5 至 30 GHz,增益 21 至 26 dB,增益平坦度 ±1.5 至 2 dB,噪声系数 2 至 2.6 dB,P1dB 13 至 14 dBm。标签:表面贴装,低噪声放大器。有关 CHA3688aQDG 的更多详细信息,请参见下文。
产品规格
产品详情
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零件号CHA3688aQDG
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制造商联合单片半导体
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描述12.5-30GHz 低噪声放大器
一般参数
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类型低噪声放大器
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配置IC/MMIC/SMT
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频率12.5 至 30 GHz
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获得21 至 26 分贝
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获得平坦度±1.5 至 2 分贝
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噪声系数2 至 2.6 分贝
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P1dB13 至 14 dBm
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P1dB0.02 至 0.025 瓦
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IP323 至 25 dBm
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IP30.2 至 0.31 瓦
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输入电压驻波比2.00:1、2.50:1
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输出驻波比2.50:1、3.00:1
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电源电压4伏
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目前的消费漏极电源电流:85 至 115 mA
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技术砷化镓,pHEMT
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包装类型表面贴装
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RoHS是的