特征
- 输入匹配
- 集成 ESD 保护
- 低热阻
- 高增益
- 耐热增强型封装
- 符合 RoHS 标准
- 在 DVB-T 信号条件下，平均功率为 130 W 时能够承受 10:1 VSWR
- 人体模型 2 级（根据 ANSI/ESDA/JEDEC JS-001）
PTVA047002EV-V1
高功率 RF LDMOS FET 700 W；50V；470 – 806 兆赫
PTVA047002EV LDMOS FET 设计用于 470 MHz 至 806 MHz 频段的功率放大器应用。其特点包括具有螺栓固定法兰的高增益和耐热增强型封装。采用Wolfspeed先进的LDMOS工艺制造；该器件提供出色的热性能和卓越的可靠性。
PTVA047002EV LDMOS FET 设计用于 470 MHz 至 806 MHz 频段的功率放大器应用。其特点包括具有螺栓固定法兰的高增益和耐热增强型封装。采用Wolfspeed先进的LDMOS工艺制造；该器件提供出色的热性能和卓越的可靠性。
高功率 RF LDMOS FET 700 W；50V；470 – 806 兆赫
PTVA047002EV LDMOS FET 设计用于 470 MHz 至 806 MHz 频段的功率放大器应用。其特点包括具有螺栓固定法兰的高增益和耐热增强型封装。采用Wolfspeed先进的LDMOS工艺制造；该器件提供出色的热性能和卓越的可靠性。
应用领域
- 470 至 806 MHz 频段的功率放大器
