GTVA101K42EV-V1

SiC HEMT 上的高功率 RF GaN 1400 W；50V；0.96 - 1.4GHz

GTVA101K4是一款专门设计的高效率GaN on SiC高电子迁移率晶体管（HEMT）；高增益和宽带宽能力。这使得 GTVA101K4 非常适合 0.96 – 1.4 GHz 频段的应用。该晶体管可用于从 UHF 到 1.4 GHz 的特定频段应用。