深圳市聚成恒信电子科技有限公司

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致力于全面服务射频微波，毫米微波客户。

将射频微波，毫米微波，原材料，系统引入中国是聚成恒信电子的首要目标。

射频微波解决方案

机场FOD解决方案

替代器件解决方案

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PRODUCT CENTER

产品中心

ADRV9009BBCZ

双发射器
双接收器
双输入共享观察接收器
最大接收器带宽：200 MHz
最大可调谐发射器合成带宽：450 MHz
最大观察接收器带宽：450 MHz
全集成的小数 N 射频合成器
全集成的时钟合成器
适用于射频 LO 和基带时钟的多芯片相位同步
JESD204B 数据路径接口
调谐范围：75 MHz 至 6000 MHz

ADRV9008-1W/PCBZ

ADRV9008-1 是一款高度集成的双射频接收器 (Rx)，可在 75 MHz 至 6 GHz 范围内进行调谐。接收路径由两个独立的 200 MHz 带宽接收器、集成合成器和数字信号处理功能组成。它可以直接由 1.3 V 和 1.8 V 稳压器供电，并通过标准 4 线串行端口进行控制。高速 JESD204B 接口支持高达 12.288 Gbps 的通道速率。完全集成的锁相环 (PLL) 为接收器信号路径提供高性能、低功耗、小数 N 射频合成。一个额外的合成器生成转换器、数字电路和串行接口所需的时钟。ADRV9008-1 采用 12 x 12 mm、196 球芯片级球栅阵列，非常适合 3G/4G/5G 宏蜂窝、频分双工 (FDD)

ADRV9029BBCZ

4 个差分变送器
4 个差分接收器
2 个观察接收器，各带 2 个输入
中心频率：75 MHz 至 6000 MHz
完全集成的 DPD 自适应引擎，用于功率放大器的线性化
削峰 (CFR) 引擎
最大接收器带宽：200 MHz
最大变送器大信号带宽：200 MHz
最大变送器合成带宽：450 MHz
最大观察接收器带宽：450 MHz
完全集成的独立小数 N 射频频率合成器
完全集成的时钟频率合成器
适用于所有本地振荡器和基带时钟的多芯片相位同步
支持 TDD 和 FDD 应用
24.33 Gbps JESD204B/JESD204C 数字接口

ADRV9002BBCZ

2 × 2 高度集成的收发器
频率范围为 30 MHz 至 6000 MHz
变送器和接收器带宽为 12 kHz 至 40 MHz
两个完全集成的小数 N 射频频率合成器
LVDS 和 CMOS 同步串行数据接口选项
低功耗监控器和休眠模式
多芯片同步功能
快速跳频
动态配置文件切换，可实现动态数据速率和采样率
完全集成的 DPD，适用于窄带和宽带波形
可通过 4 线 SPI 完全编程
12 mm × 12 mm、196 球 CSP_BGA

AD9375BBCZ

双差分发射器 (Tx)
双差分接收器 (Rx)
带有 2 路输入的观察接收器
完全集成的超低功耗 DPD 励磁器和适合 PA 线性化的自适应引擎
带有 3 路输入的嗅探接收器
调谐范围：300 MHz 到 6000 MHz
线性化信号 BW 到 40 MHz
接收器合成 BW 到 250 MHz
接收器 (Rx) BW：8 MHz 到 100 MHz
支持 FDD 和 TDD 操作
完全集成的独立小数分频射频合成器，可用于发射器 (Tx)、接收器 (Rx)、观察接收器 (ORx) 和时钟生成
JESD204B 数字接口

FB-1385

Marki Microwave 的 FB-1385 是一款带通滤波器，频率 11.5 至 16.2 GHz，中心频率 13.85 GHz，插入损耗 3 dB，抑制 25 至 50 dB，功率 1 W。标签：带连接器的模块。有关 FB-1385 的更多详细信息，请参见下文。

PT-0030

PT-0030三通偏置器
拾取三通是一种电阻电路，可提供微波信号的非定向耦合。由于反射的缘故，定向耦合器是大多数应用的首选。在一个非常匹配的系统中，Marki传感器可以以非常小的封装提供非常宽带的信号监控。

宽带（DC – 30 GHz）
平坦的16 dB拾取损耗
near接近DC的出色的拾取平坦度
特性
- 宽带 (DC – 30 GHz)
- 平坦的 16 dB 拾取损耗
- 出色的 DC 附近拾取平坦度
- 小封装尺寸

QH-0867

QH-0867功分器

射频/微波3 dB 90度耦合器也称为正交（或正交）混合器。这对于消除反射，合并放大器，创建I / Q混频器，镜像抑制混频器以及许多其他应用非常有用。Marki Quadrature Hybrids可在非常宽的带宽范围内提供出色的相位和幅度平衡。此外，QH-0867提供具有并行输出的布局。

特征
宽带性能
出色的振幅和相位平衡
高度隔离
低驻波比

MEQ10-50AU

产品介绍

MEQ10-50AU无源MMIC均衡器是补偿RF /微波和高速数字系统中低通滤波效果的理想解决方案。该均衡器可提供从DC到50 GHz的正斜率，其DC衰减值为10dB，并且在整个工作范围内都保持50欧姆的匹配度。GaAs MMIC技术以小巧，低成本的形式提供一致的单元间性能。请联系工厂以获取我们其他MEQ产品的连接器版本。

特点
直流衰减10dB
50GHz时的典型插入损耗1.9 dB
回波损耗：典型情况下，回波损耗为15 dB

S2P数据：MEQ10-50AU.s2p

应用
射频收发器
高速数据
电信
电缆损耗补偿
放大器补偿

AFKL16

Amkom Design Group Inc 的 AFKL16 是一款中频频率为 950 MHz 至 1.45 GHz、RF/输出频率为 12.75 至 13.25 GHz、LO 频率为 11.8 GHz、饱和功率为 42 dBm、线性功率为 41 dBm 的上变频转换器。标签：带连接器的模块。AFKL16 的更多细节可以在下面看到。

AFKL20

Amkom Design Group Inc 的 AFKL20 是一款中频频率为 950 MHz 至 1.45 GHz、RF/输出频率为 12.75 至 13.25 GHz、LO 频率为 11.8 GHz、饱和功率为 43 dBm、线性功率为 42 dBm 的上变频转换器。标签：带连接器的模块。AFKL20 的更多细节可以在下面看到。

AFKU16

Amkom Design Group Inc 的 AFKU16 是一款中频频率为 950 MHz 至 1.7 GHz、RF/输出频率为 13.75 至 14.5 GHz、LO 频率为 12.8 GHz、饱和功率为 42 dBm、线性功率为 41 dBm 的上变频转换器。标签：带连接器的模块。AFKU16 的更多细节可以在下面看到。

AMKL40

Amkom Design Group Inc 的 AMKL40 是一款中频频率为 950 MHz 至 1.45 GHz、RF/输出频率为 12.75 至 13.25 GHz、LO 频率为 11.8 GHz、饱和功率为 46 dBm、线性功率为 45 dBm 的上变频转换器。标签：带连接器的模块。AMKL40 的更多细节可以在下面看到。

ADMV8913SCCZ-EP

Analog Devices 的 ADMV8913-EP 是一款数字可调 MMIC 滤波器，通带范围为 6.6 至 11.9 GHz。它使用高通滤波器 (HPF) 和集成低通滤波器 (LPF) 构建，每个滤波器都具有 4 位数字逻辑控制（16 种状态）。该滤波器在通带中的插入损耗小于 5.3 dB，并提供 35 dB 的阻带抑制。它可以用作大型开关滤波器组和腔调谐滤波器的较小替代品。该滤波器支持国防和航空航天应用（AQEC 标准），工作温度范围为 -55°C 至 +105°C。

该滤波器的灵活架构允许独立控制高通和低通滤波器的 3 dB 截止频率。它为高级通信应用提供了动态可调的解决方案。ADMV8913-EP 采用紧凑型 LGA 封装，尺寸为 6.00 x 3.00 x 0.89 mm，是测试和测量设备、军用雷达、电子战、电子对抗、卫星通信、工业和医疗设备应用的理想选择。

ADMV1017BCCZ

Analog Devices 的 ADMV1017 是一款基于硅锗 (SiGe) 的微波块上/下转换器，射频频率范围为 24 至 29.5 GHz。上变频器提供两种频率转换模式，包括从差分基带 (I/Q) 输入信号直接转换为射频，以及从复数中频 (IF) 输入信号进行单边带 (SSB) 上变频。下变频器提供两种转换模式，包括直接正交解调到差分 I/Q 输出信号和镜像抑制下变频到单端复 IF 输出载波频率。

该上/下转换器允许禁用差分基带 I/Q 输入路径，从而将调制后的单端复 IF 信号直接馈送到 IF 路径并上变频到 RF 频带。它旨在通过利用串行端口接口 (SPI) 来调整正交相位并抑制优于 25 dBc 的不需要的边带分量，从而执行高效的上变频。ADMV1017 包含一个平方律检测器，可通过外部自动增益控制 (AGC) 环路监控混频器输入的功率电平和射频数字步进衰减器的闭环控制。

ADMV1128BBCZ

ADMV1128是一款绝缘体上硅(SOI)、微波上变频器和下变频器，针对5G无线电设计进行优化，工作频率范围为24 GHz至29.5 GHz。

上变频器和下变频器同时提供两种频率转换模式。一种模式是变频自和/或变频至单端或复中频(IF)信号，然后通过片内90° IF混合模式，称为IF模式。

另一种模式是直接变频自和/或变频至差分基带同相/正交(I/Q)输入和输出，称为基带模式。I/Q基带输出共模电压在0 V至1.5 V之间可编程。SPI可对正交相位进行微调以优化I/Q解调性能。

CVCO55CC-2970-3230

CVCO55CC-2970-3230 VCO 工作频率为 2970 MHz 至 3230 MHz，控制电压范围为 0.5V~4.5V。该 VCO 具有 -104 dBc/Hz @ 10KHz 偏移的典型相位噪声，并具有出色的线性度。

CVCO55CC-2970-3230 型号采用行业标准 0.5 英寸封装。x 0.5 英寸。贴片封装。输入电压为 5.0 V，最大电流消耗为 35 mA。Pulling 和 Pushing 分别最小化为 1.5 MHz 和 3 MHz/V。二次谐波抑制典型值为 -20 dBc。

CVCO55CC-2970-3230 非常适合用于数字无线电设备、固定无线接入、卫星通信系统和基站等应用。

CVCO55CC-4775-4925

CVCO55CC 系列基于同轴谐振器，可提供超低相位噪声。它专为窄带应用而设计，提供 380MHz 至 5.0GHz 的频率。它的技术还提供非常低的谐波和低电流消耗，在整个调谐范围内具有出色的线性度。它采用我们的标准 0.50" x 0.50" 封装设计。

CVCO55CC-5000-5000

CVCO55CC 系列基于同轴谐振器，可提供超低相位噪声。它专为窄带应用而设计，提供 380MHz 至 5.0GHz 的频率。它的技术还提供非常低的谐波和低电流消耗，在整个调谐范围内具有出色的线性度。它采用我们的标准 0.50" x 0.50" 封装设计。

CVCO55CC-4875-4875

CVCO55CC 系列基于同轴谐振器，可提供超低相位噪声。它专为窄带应用而设计，提供 380MHz 至 5.0GHz 的频率。它的技术还提供非常低的谐波和低电流消耗，在整个调谐范围内具有出色的线性度。它采用我们的标准 0.50" x 0.50" 封装设计。

CVCO55CC-4800-4800

CVCO55CC-4800-4800 VCO（压控振荡器）工作频率为 4800 MHz，控制电压范围为 0.5 V 至 4.5 V。该 VCO 的典型相位噪声为 -102 dBc/ Hz @ 10 kHz 偏移并具有出色的线性度。输出功率通常为 +4 dBm。

CVCO55CC-4800-4800 型号在美国设计和制造，采用行业标准的 0.5 x 0.5 英寸 SMD 封装。输入电压为 5 V，典型电流消耗为 30 mA。Pulling 和 Pushing 分别最小化为 4 MHz 和 1 MHz/V。二次谐波抑制典型值为 -15 dBc。

CVCO55CC-4800-4800 非常适合用于数字无线电设备、固定无线接入、卫星通信系统和基站等应用。

CVCO55CC-4500-4500

CVCO55CC 系列基于同轴谐振器，可提供超低相位噪声。它专为窄带应用而设计，提供 380MHz 至 5.0GHz 的频率。它的技术还提供非常低的谐波和低电流消耗，在整个调谐范围内具有出色的线性度。它采用我们的标准 0.50" x 0.50" 封装设计。

CHX2090-QDG

HX2090-QDG 是一款可级联倍频器单片电路，集成了输出缓冲放大器，可在输入功率范围内产生恒定输出功率。

它专为广泛的应用而设计，从军事到商业通信系统。

该电路采用 pHEMT 工艺制造，栅极长度为 0.25µm，通过衬底通孔、空气桥和电子束栅极光刻。

它采用符合 RoHS 标准的 SMD 封装。

CHA2411-QDG

CHA2411-QDG 是一款 K 波段低噪声放大器，通过 +5V 单偏置电源提供 26dB 增益和 2.5dB 噪声系数。

该电路采用 pHEMT 工艺制造，栅极长度为 0.25µm，通过衬底通孔、空气桥和电子束栅极光刻。

它采用符合 RoHS 标准的 SMD 封装。

CHA3688aQDG

CHA3688aQDG 是一款三级自偏置宽带单片低噪声放大器单片电路。

该电路采用 pHEMT 工艺制造，栅极长度为 0.25µm，通过衬底通孔、空气桥和电子束栅极光刻。

它采用符合 RoHS 标准的 SMD 封装。

CHA3666-SNF

United Monolithic Semiconductors 的 CHA3666-SNF 是一款射频放大器，频率为 5.8 至 16 GHz，小信号增益为 16 至 20 dB pk-pk，增益平坦度 ±1 dB，噪声系数为 2.1 至 2.8 dB，P1dB 为 14.5 至 16 dBm。标签：表面贴装，低噪声放大器。

CHA3024-FDB

CHA3024-FDB 是一款具有可调增益控制 (AGC) 的分布式低噪声放大器，工作频率在 2 至 22GHz 之间。

它专为广泛的应用而设计，例如电子战、X 和 Ku 点对点无线电以及测试仪器。

该电路采用 pHEMT 工艺、0.15µm 栅极长度、穿过衬底的通孔、空气桥和电子束栅极光刻技术制造。

它采用符合 RoHS 标准的 SMD 封装。

CHKA011aSXA

CHKA011aSXA 是一款无与伦比的封装氮化镓高电子迁移率晶体管。

它为各种射频功率应用提供通用和宽带解决方案。它非常适合雷达和电信等多用途应用。

CHKA011aSXA 采用 0.5µm 栅极长度 GaN HEMT 工艺开发。它需要一个外部匹配电路。

它采用陶瓷金属法兰电源封装，符合 RoHs N°2011/65 和 REACH N°1907/2006 指令。

CHZ180AaSEB

CHZ180AaSEB 是一款输入匹配和输出预匹配封装的氮化镓高电子迁移率晶体管。它为 L 波段中的各种射频功率应用提供宽带解决方案。

它非常适合脉冲雷达应用。

CHZ180AaSEB 采用 0.5µm 栅极长度 GaN HEMT 工艺。它基于准MMIC技术。

它采用密封法兰陶瓷金属功率封装，提供低寄生和低热阻。

CHK8101-SYC

UMS 开发的 CHK8101-SYC 是一款无与伦比的封装氮化镓高电子迁移率晶体管。该电源条为各种射频电源应用提供通用和宽带解决方案。它非常适合雷达和电信等多用途应用

CHK8101-SYC 采用 0.5µm 栅极长度 GaN HEMT 工艺开发。它需要一个外部匹配电路。

CHK8101-SYC 采用密封陶瓷金属法兰电源封装，符合 RoHs N°2011/65 和 REACH N°1907/2006 指令。

MAPC-A1507

GaN 放大器 50 V，1400 W 900 - 930 MHz

MAPC-A1507 是一款碳化硅基氮化镓 HEMT D 模式放大器，适用于 900 - 930 MHz 频率操作。该器件在气腔陶瓷封装中支持脉冲和 CW 操作，最小输出功率为 1400 W (61.46 dBm)。

MAPC-A1501-ASTR1

GaN 放大器 65 V，1300 W 960 - 1215 MHz - MACOM PURE CARBIDE

MAPC-A1501 是一款高功率 GaN 碳化硅 HEMT D 模式放大器，适用于 960 - 1215 MHz 频率操作。该器件支持脉冲操作，65V 时输出功率水平为 1300 W (61.1 dBm)，50V 时输出功率水平为 1000 W (60.0 dBm)，采用气腔陶瓷封装。

MAPC-A1500-ASTR1

GaN 放大器 65 V、2600 W、960 - 1215 MHz - MACOM PURE CARBIDE

MAPC-A1500 是一款高功率 GaN 碳化硅 HEMT D 模式放大器，适用于 960 - 1215 MHz 频率操作。该器件支持脉冲操作，65V 时输出功率水平为 2600 W (64.1 dBm)，50V 时输出功率水平为 2000 W (63.0 dBm)，采用气腔陶瓷封装

MAPC-S1504-ASTR1

GaN 放大器 50 V，60 W 5.2 - 5.9 GHz

MAPC-S1504 是一款高功率 GaN 碳化硅 HEMT D 模式放大器，适用于 5.2 - 5.9 GHz 频率操作。该器件支持脉冲操作，采用气腔陶瓷封装，输出功率为 60 W (47.8 dBm)

MAPC-A2506

GaN 放大器 50 V，30 W 平均 3.7 - 4.0 GHz

MAPC-A2506 是一款高功率 GaN 碳化硅 HEMT D 模式放大器，适用于非对称 Doherty 基站应用，平均功率为 30W，并针对 3.7 - 4.0 GHz 调制信号操作进行了优化。该器件在气腔陶瓷封装中支持脉冲和线性操作，峰值输出功率水平高达 220 W (53.4 dBm)。

MAPC-A2500

GaN 放大器 50 V，60 W 平均 3.4 - 3.8 GHz

MAPC-A2500 是一款高功率 GaN 碳化硅 HEMT D 模式放大器，适用于非对称 Doherty 基站应用，平均功率为 60W，并针对 3.4 - 3.8 GHz 调制信号操作进行了优化。该器件在气腔陶瓷封装中支持脉冲和线性操作，峰值输出功率水平高达 420 W (56.2 dBm)。

MAPC-A1604

MAPC-A1604
GaN 放大器 130 V，5000 W 960 - 1215 MHz

MAPC-A1604 是一款高功率 GaN 碳化硅 HEMT D 模式放大器，适用于 960 - 1215 MHz 频率操作。该器件支持脉冲操作，在 130 V 时输出功率水平为 5000 W (67.0 dBm)，采用气腔陶瓷封装。

MAPC-A1605

MACOM 纯碳化物、GaN 放大器 150 V、7000 W、960 - 1215 MHz

MAPC-A1605 是一款高功率 GaN 碳化硅 HEMT D 模式放大器，适用于 960 - 1215 MHz 频率操作。该器件在气腔陶瓷封装中支持在 150V 时输出功率水平为 7000 W (68.45 dBm) 的脉冲操作。

AM212412XD-P3

Amcom Communications 的 AM212412XD-P3 是一款射频混频器，其 LO 频率为 2.05 至 2.35 GHz，IF 频率为 DC 至 300 MHz，转换损耗为 7.2 至 8 dB，LO 驱动 - 功率 13 dBm，P1dB 12 dBm。标签：带连接器的模块，双平衡混音器，无源混音器。有关 AM212412XD-P3 的更多详细信息，请参见下文。

AM153510XD-P3

Amcom Communications 的 AM153510XD-P3 是一款射频混频器，具有 LO 频率 1.5 至 3.6 GHz、IF 频率 DC 至 600 MHz、转换损耗 8 至 9 dB、LO 驱动 - 功率 17 dBm、IP3 25 dBm。标签：带连接器的模块，双平衡混音器，无源混音器。有关 AM153510XD-P3 的更多详细信息，请参见下文

AM09015010XD-P3

Amcom Communications 的 AM09015010XD-P3 是一款射频混频器，具有 LO 频率 9 至 15 GHz、IF 频率 DC 至 2.5 GHz、转换损耗 8 至 11 dB、LO 驱动 - 功率 13 dBm、IP3 14 至 17 dBm。标签：带连接器的模块，双平衡混音器，无源混音器。有关 AM09015010XD-P3 的更多详细信息，请参见下文。

AM459010XD-P3

Amcom Communications 的 AM459010XD-P3 是一款射频混频器，具有 LO 频率 4.5 至 9 GHz、IF 频率 DC 至 2.5 GHz、转换损耗 8.5 至 10 dB、LO 驱动 - 功率 13 dBm、IP3 15 至 21 dBm。标签：带连接器的模块，双平衡混音器，无源混音器。有关 AM459010XD-P3 的更多详细信息，请参见下文。

AM256009XD-P3

Amcom Communications 的 AM256009XD-P3 是一款射频混频器，本振频率为 2.5 至 6 GHz，中频频率为直流至 1.5 GHz，转换损耗为 8.5 至 9.5 dB，本振驱动 - 功率 13 dBm，IP3 19 dBm。标签：带连接器的模块，双平衡混音器，无源混音器。有关 AM256009XD-P3 的更多详细信息，请参见下文。

ATN06-00110

产品介绍

ATN06-00110是无源GaAs MMIC固定衰减器系列。这些衰减器是用于衰减信号的理想解决方案，可用于广泛的应用中。它们是各种射频电路中测试设备保护和信号过载防护的理想之选。在整个工作频率范围内保持50欧姆的匹配度。

特征
6或10dB衰减DC至110GHz
回波损耗：典型的20 dB
整个乐队
序列化以实现可追溯性
S2P数据：ATNXX-00110.s2p

应用领域
5G
汽车雷达
测验设备
振幅匹配
精密表征
无线回传

T-90000-RF-LF

KVG Quartz Crystal Technology 的 T-90000-RF-LF 系列是输出频率为 50 至 250 MHz 的 TCXO。它们具有高达 ±1.0 ppm 的频率稳定性和 -120 dBc/Hz @100 Hz 载波偏移的典型相位噪声。这些 TCXO 在输出端提供正弦或 HCMOS 信号，并具有 1.5 ppb/g 的低 G 灵敏度。

将高频 SMD 晶体与最先进的温度补偿相结合，可实现第 3 层级稳定性。这些 TCXO 采用 SMD 封装，尺寸为 14 x 9 x 6.5 mm，非常适合测试和测量设备、卫星通信系统、医疗设备、雷达系统、军用无线电设备和移动无线电系统应用。

O-27000-SC-LF

双 OCXO 具有出色的低老化和极严格的频率
稳定性与温度的关系，并结合小型封装

O-27000 采用密封金属罐封装，符合 RoHS 标准，
适合潮湿气候环境。

O-40CXXXXXXXX-LPN-LF系列

O-40CXXXXXXXX-LPN-LF 是一款 10.000 MHz 高性能“烤箱控制晶体振荡器”(VC)OCXO，提供卓越的低相位噪声 (LPN)、非常严格的频率稳定性与温度和低老化。

O-30CXXXXXXXX-LPN-LF系列

O-30CXXXXXXXX-LPN-LF 是一款 10.000 MHz 高性能“烤箱控制晶体振荡器”(VC)OCXO，提供卓越的低相位噪声 (LPN)、非常严格的频率稳定性与温度和低老化。

O-40-LPN-LGS-100.000 MHZ

高频 OCXO 系列 O-40CXXXXXX1-LPN-LGS-LF 提供卓越的低相位噪声 (LPN)、低 G 灵敏度 (LGS) 和严格的频率稳定性。
使用最先进的电路设计和小尺寸高稳定性晶体，这种高性能 OCXO 可以容纳在小尺寸密封金属封装中。

O-35000-LPN-LGS-100.000 HMZ

O-35CXXXXXX1-LPN-LGS-LF 是一款高性能“烤箱控制晶体振荡器”(VC)OCXO，具有出色的低相位噪声 (LPN)、低 G 灵敏度 (LGS) 和严格的频率稳定性。

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深圳市聚成恒信电子由深圳市鑫琅图科技有限公司、深圳市聚成恒信电子科技有限公司、深圳市国鑫恒业电子有限公司构成。公司创建于2005年，经过不断努力，先后得到多家品牌生产商的认可授权，代理分销的品牌有：MA/COM、ADI、TI、MAXIM、Qorvo、E2V、Crystek、Anaren、Innovative Power Products(IPP)， UMS， KVG等；致力于全面服务射频微波，毫米微波客户，将射频微波，毫米微波，原材料，系统引入中国是聚成恒信电子的首要目标；并为客户提供器件选型，量产等各阶段的服务支持，聚成恒信电子秉承长期合作，不取暴利的宗旨，拉近原厂与终端用户的距离，为促进三方共赢的良性合作关系努力。是国内研究所、各大院校综合器件供应商。产品：射频放大器，滤波器，耦合器，变频器，转换器，晶振，原子铯钟，集成模块，仪器，是国内最早经营射频微波，毫米微波器件的公司之一。

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