PRODUCT CENTER
产品中心
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CHX2090-QDG
HX2090-QDG 是一款可级联倍频器单片电路，集成了输出缓冲放大器，可在输入功率范围内产生恒定输出功率。
它专为广泛的应用而设计，从军事到商业通信系统。
该电路采用 pHEMT 工艺制造，栅极长度为 0.25µm，通过衬底通孔、空气桥和电子束栅极光刻。
它采用符合 RoHS 标准的 SMD 封装。¥ 0.00立即购买
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CHA2411-QDG
CHA2411-QDG 是一款 K 波段低噪声放大器，通过 +5V 单偏置电源提供 26dB 增益和 2.5dB 噪声系数。
该电路采用 pHEMT 工艺制造，栅极长度为 0.25µm，通过衬底通孔、空气桥和电子束栅极光刻。
它采用符合 RoHS 标准的 SMD 封装。¥ 0.00立即购买
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CHA3688aQDG
CHA3688aQDG 是一款三级自偏置宽带单片低噪声放大器单片电路。
该电路采用 pHEMT 工艺制造，栅极长度为 0.25µm，通过衬底通孔、空气桥和电子束栅极光刻。
它采用符合 RoHS 标准的 SMD 封装。¥ 0.00立即购买
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CHA3666-SNF
United Monolithic Semiconductors 的 CHA3666-SNF 是一款射频放大器，频率为 5.8 至 16 GHz，小信号增益为 16 至 20 dB pk-pk，增益平坦度 ±1 dB，噪声系数为 2.1 至 2.8 dB，P1dB 为 14.5 至 16 dBm。标签：表面贴装，低噪声放大器。¥ 0.00立即购买
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CHA3024-FDB
CHA3024-FDB 是一款具有可调增益控制 (AGC) 的分布式低噪声放大器，工作频率在 2 至 22GHz 之间。
它专为广泛的应用而设计，例如电子战、X 和 Ku 点对点无线电以及测试仪器。
该电路采用 pHEMT 工艺、0.15µm 栅极长度、穿过衬底的通孔、空气桥和电子束栅极光刻技术制造。
它采用符合 RoHS 标准的 SMD 封装。¥ 0.00立即购买
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CHKA011aSXA
CHKA011aSXA 是一款无与伦比的封装氮化镓高电子迁移率晶体管。
它为各种射频功率应用提供通用和宽带解决方案。它非常适合雷达和电信等多用途应用。
CHKA011aSXA 采用 0.5µm 栅极长度 GaN HEMT 工艺开发。它需要一个外部匹配电路。
它采用陶瓷金属法兰电源封装，符合 RoHs N°2011/65 和 REACH N°1907/2006 指令。¥ 0.00立即购买
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CHZ180AaSEB
CHZ180AaSEB 是一款输入匹配和输出预匹配封装的氮化镓高电子迁移率晶体管。它为 L 波段中的各种射频功率应用提供宽带解决方案。
它非常适合脉冲雷达应用。
CHZ180AaSEB 采用 0.5µm 栅极长度 GaN HEMT 工艺。它基于准MMIC技术。
它采用密封法兰陶瓷金属功率封装，提供低寄生和低热阻。¥ 0.00立即购买
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CHK8101-SYC
UMS 开发的 CHK8101-SYC 是一款无与伦比的封装氮化镓高电子迁移率晶体管。该电源条为各种射频电源应用提供通用和宽带解决方案。它非常适合雷达和电信等多用途应用
CHK8101-SYC 采用 0.5µm 栅极长度 GaN HEMT 工艺开发。它需要一个外部匹配电路。
CHK8101-SYC 采用密封陶瓷金属法兰电源封装，符合 RoHs N°2011/65 和 REACH N°1907/2006 指令。¥ 0.00立即购买
United Monolithic Semiconductors（UMS）为国防和安全，太空，电信，汽车，工业传感器，医疗和测试仪器设计，制造和销售领先的RF和毫米波集成电路（IC）产品和解决方案。
UMS的全面报价包括提供基于GaAs，GaN和SiGe技术的COTS（货架目录）或ASIC（专用IC）产品。产品目录涵盖DC至105GHz，并包括高达200W的功率放大器，混合信号功能，超低噪声放大器以及完整的收发器系统。这些目录产品以裸模，塑料封装，多芯片模块和太空密封封装提供。
UMS内部的GaAs和GaN工艺也以铸造模式完全开放，使客户可以通过全面的铸造服务直接创建自己的产品解决方案。
主要产品：下变频器 频率乘法器 调制器/解调器振荡器 VCO移相器 RF混频器 射频功率晶体管 衰减器-数控 mmW放大器评估板
