PRODUCT CENTER
产品中心
Wolfspeed/CREE(科锐)成立于1987年,CREE科锐具备30多年的宽带GAP原材料和创新产品,CREE科锐是一个完整的设计合作伙伴,符合射频的需求,CREE科锐为行业内技术领先的机器设备提供更强的功率和更低的功能损耗。CREE科锐由最开始的GaN基材LED产品技术领先全世界,到微波射频与毫米波芯片产品,CREE科锐于2017年分离出微波射频品牌Wolfspeed,以宽带、大功率放大器产品为特色。
深圳市立维创展科技是CREE的经销商,拥有CREE微波器件优势供货渠道,并长期库存现货,以备中国市场需求。
部分型号需申请美国出口许可。
Wolfspeed 是世界上经过现场测试最多的 SiC 功率和 GaN 射频解决方案的主要供应商。作为宽带隙半导体技术的领导者,我们与全球设计师合作,共同打造更快、更小、更轻、更强大的电子系统的新未来。
-
GTVA101K42EV-V1
SiC HEMT 上的高功率 RF GaN 1400 W;50V;0.96 - 1.4GHz
GTVA101K4是一款专门设计的高效率GaN on SiC高电子迁移率晶体管(HEMT);高增益和宽带宽能力。这使得 GTVA101K4 非常适合 0.96 – 1.4 GHz 频段的应用。该晶体管可用于从 UHF 到 1.4 GHz 的特定频段应用。¥ 0.00立即购买
-
LTN/GTVA101K42EV-V1
SiC HEMT 上的高功率 RF GaN 1400 W;50V;0.96 - 1.4GHz
GTVA101K4是一款专门设计的高效率GaN on SiC高电子迁移率晶体管(HEMT);高增益和宽带宽能力。这使得 GTVA101K4 非常适合 0.96 – 1.4 GHz 频段的应用。该晶体管可用于从 UHF 到 1.4 GHz 的特定频段应用。¥ 0.00立即购买
-
PTVA101K02EV-V1
高功率 RF LDMOS FET 1000 W;50V;1030 / 1090 兆赫
PTVA101K02EV LDMOS FET 设计用于 1030 MHz / 1090 MHz 频段的功率放大器应用。其特点包括具有螺栓固定法兰的高增益和耐热增强型封装。采用Wolfspeed先进的LDMOS工艺制造;该器件提供出色的热性能和卓越的可靠性。¥ 0.00立即购买
-
CGHV14800F
800-W;1200 – 1400 MHz;用于 L 波段雷达系统的 GaN HEMT
Wolfspeed 的 CGHV14800 是一款专为高效率设计的氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT);高增益和宽带宽能力;这使得 CGHV14800 非常适合 1.2 – 1.4 GHz L 波段雷达放大器应用。封装选项包括陶瓷/金属法兰 (CGHV14800F) 和药丸封装 (CGHV14800P)。¥ 0.00立即购买
-
CGHV14800F-AMP
800-W;1200 – 1400 MHz;用于 L 波段雷达系统的 GaN HEMT
Wolfspeed 的 CGHV14800 是一款专为高效率设计的氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT);高增益和宽带宽能力;这使得 CGHV14800 非常适合 1.2 – 1.4 GHz L 波段雷达放大器应用。封装选项包括陶瓷/金属法兰 (CGHV14800F) 和药丸封装 (CGHV14800P)。¥ 0.00立即购买
-
CGHV14800F1
Wolfspeed 的 CGHV14800 是一款专为高效率设计的氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT);高增益和宽带宽能力;这使得 CGHV14800 非常适合 1.2 – 1.4 GHz L 波段雷达放大器应用。封装选项包括陶瓷/金属法兰 (CGHV14800F) 和药丸封装 (CGHV14800P)。¥ 0.00立即购买
-
PTVA047002EV-V1
高功率 RF LDMOS FET 700 W;50V;470 – 806 兆赫
PTVA047002EV LDMOS FET 设计用于 470 MHz 至 806 MHz 频段的功率放大器应用。其特点包括具有螺栓固定法兰的高增益和耐热增强型封装。采用Wolfspeed先进的LDMOS工艺制造;该器件提供出色的热性能和卓越的可靠性。¥ 0.00立即购买
-
GTVA107001EFC-V1
SiC HEMT 上的高功率 RF GaN 700 W;50V;960 – 1215 兆赫
GTVA107001EC 是一款 700 瓦碳化硅基氮化镓高电子迁移率晶体管 (HEMT),适用于 960 至 1215 MHz 频段。它具有输入匹配功能;高效率; 和耐热增强型封装;带螺栓固定法兰。¥ 0.00立即购买