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MAPC-A1507

GaN 放大器 50 V，1400 W 900 - 930 MHz

MAPC-A1507 是一款碳化硅基氮化镓 HEMT D 模式放大器，适用于 900 - 930 MHz 频率操作。该器件在气腔陶瓷封装中支持脉冲和 CW 操作，最小输出功率为 1400 W (61.46 dBm)。

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MAPC-A1501-ASTR1

GaN 放大器 65 V，1300 W 960 - 1215 MHz - MACOM PURE CARBIDE

MAPC-A1501 是一款高功率 GaN 碳化硅 HEMT D 模式放大器，适用于 960 - 1215 MHz 频率操作。该器件支持脉冲操作，65V 时输出功率水平为 1300 W (61.1 dBm)，50V 时输出功率水平为 1000 W (60.0 dBm)，采用气腔陶瓷封装。

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MAPC-A1500-ASTR1

GaN 放大器 65 V、2600 W、960 - 1215 MHz - MACOM PURE CARBIDE

MAPC-A1500 是一款高功率 GaN 碳化硅 HEMT D 模式放大器，适用于 960 - 1215 MHz 频率操作。该器件支持脉冲操作，65V 时输出功率水平为 2600 W (64.1 dBm)，50V 时输出功率水平为 2000 W (63.0 dBm)，采用气腔陶瓷封装

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MAPC-S1504-ASTR1

GaN 放大器 50 V，60 W 5.2 - 5.9 GHz

MAPC-S1504 是一款高功率 GaN 碳化硅 HEMT D 模式放大器，适用于 5.2 - 5.9 GHz 频率操作。该器件支持脉冲操作，采用气腔陶瓷封装，输出功率为 60 W (47.8 dBm)

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MAPC-A2506

GaN 放大器 50 V，30 W 平均 3.7 - 4.0 GHz

MAPC-A2506 是一款高功率 GaN 碳化硅 HEMT D 模式放大器，适用于非对称 Doherty 基站应用，平均功率为 30W，并针对 3.7 - 4.0 GHz 调制信号操作进行了优化。该器件在气腔陶瓷封装中支持脉冲和线性操作，峰值输出功率水平高达 220 W (53.4 dBm)。

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MAPC-A2500

GaN 放大器 50 V，60 W 平均 3.4 - 3.8 GHz

MAPC-A2500 是一款高功率 GaN 碳化硅 HEMT D 模式放大器，适用于非对称 Doherty 基站应用，平均功率为 60W，并针对 3.4 - 3.8 GHz 调制信号操作进行了优化。该器件在气腔陶瓷封装中支持脉冲和线性操作，峰值输出功率水平高达 420 W (56.2 dBm)。

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