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TDSW0602T
Teledyne e2v HiRel 的 TDSW0602T 是一种绝缘体上硅 (SOI) 反射式 SPDT 开关,工作频率范围为 9 kHz 至 60 GHz。它的插入损耗小于 3.8 dB,端口间隔离度超过 36 dB。该开关的 IIP3 为 48 dBm,最大开关时间为 12 ns。该开关的控制电压为 -3 至 3 伏,如果 RF 端口上不存在直流电压,则不需要隔直电容器。
SOI 工艺具有航天传统,可耐受 50 krad 的 TID 辐射,并且不受 SEL(单事件闩锁)的影响,使其成为卫星和其他高空、高可靠性应用的可行选择。该产品利用单片微波集成电路 (MMIC) 设计技术,为客户在 K 和 Ka 微波和毫米波段提供前所未有的性能。
TDSW0602T 采用 UltraCMOS 工艺制造。它非常适合需要在 –55°C 至 +125°C 范围内提供扩展温度支持以及苛刻的工业和晶圆 MIL-PRF-38534 K 类测试的应用。
SOI 工艺具有航天传统,可耐受 50 krad 的 TID 辐射,并且不受 SEL(单事件闩锁)的影响,使其成为卫星和其他高空、高可靠性应用的可行选择。该产品利用单片微波集成电路 (MMIC) 设计技术,为客户在 K 和 Ka 微波和毫米波段提供前所未有的性能。
TDSW0602T 采用 UltraCMOS 工艺制造。它非常适合需要在 –55°C 至 +125°C 范围内提供扩展温度支持以及苛刻的工业和晶圆 MIL-PRF-38534 K 类测试的应用。
Teledyne e2v HiRel 的 TDSW0602T 是一种绝缘体上硅 (SOI) 反射式 SPDT 开关,工作频率范围为 9 kHz 至 60 GHz。它的插入损耗小于 3.8 dB,端口间隔离度超过 36 dB。该开关的 IIP3 为 48 dBm,最大开关时间为 12 ns。该开关的控制电压为 -3 至 3 伏,如果 RF 端口上不存在直流电压,则不需要隔直电容器。
SOI 工艺具有航天传统,可耐受 50 krad 的 TID 辐射,并且不受 SEL(单事件闩锁)的影响,使其成为卫星和其他高空、高可靠性应用的可行选择。该产品利用单片微波集成电路 (MMIC) 设计技术,为客户在 K 和 Ka 微波和毫米波段提供前所未有的性能。
TDSW0602T 采用 UltraCMOS 工艺制造。它非常适合需要在 –55°C 至 +125°C 范围内提供扩展温度支持以及苛刻的工业和晶圆 MIL-PRF-38534 K 类测试的应用。
产品规格
产品详情
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零件号TDSW0602T
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制造商Teledyne e2v HiRel Electronics
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描述从 9 kHz 到 60 GHz 的耐辐射 SPDT 开关
一般参数
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类型固体状态
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配置单刀双掷
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终止反光的
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应用行业商业、卫星通信
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频率9 kHz 至 60 GHz
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插入损耗1.3 至 2.7 分贝
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隔离36 至 41 分贝
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P1dB23 至 33 dBm
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P1dB0.19 至 0.99 瓦
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力量10 至 27 dBm(连续波),10 至 30 dBm(脉冲)
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力量0.01 至 0.5 W(CW),0.01 至 1 W(脉冲)
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电源电压+/-3.3 V
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控制电压-2.7 至 3.3 V
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开关速度8纳秒
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阻抗50 欧姆
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包装类型死
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技术CMOS、竖琴、SOI
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工作温度-55 至 125 摄氏度
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贮存温度-65 至 150 摄氏度
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年级商业,空间合格