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PE42540
PE42540 是一款基于 UltraCMOS 工艺技术开发的吸收式 SP4T 射频开关。该开关专为支持测试设备和 ATE 市场的要求而设计。它由四个对称射频端口组成,具有非常高的隔离度。片上 CMOS 解码逻辑有助于实现双引脚低压 CMOS 控制接口和可选的外部 Vss 功能。高 ESD 耐受性和无阻塞电容器要求使该开关具有出色的集成度和耐用性。PE42540 基于 Peregrine 技术增强,可提供高线性度和出色的谐波性能以及传统 CMOS 的经济性和集成度。
PE42540 是一款基于 UltraCMOS 工艺技术开发的吸收式 SP4T 射频开关。该开关专为支持测试设备和 ATE 市场的要求而设计。它由四个对称射频端口组成,具有非常高的隔离度。片上 CMOS 解码逻辑有助于实现双引脚低压 CMOS 控制接口和可选的外部 Vss 功能。高 ESD 耐受性和无阻塞电容器要求使该开关具有出色的集成度和耐用性。PE42540 基于 Peregrine 技术增强,可提供高线性度和出色的谐波性能以及传统 CMOS 的经济性和集成度。
产品规格
产品详情
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零件号PE42540
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制造商pSemi,村田公司
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描述SP4T 吸收式 UltraCMOS® 射频开关
一般参数
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类型固体状态
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配置SP4T
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终止吸收性
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应用行业测试与测量
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申请类型吃
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频率10 Hz 至 8 GHz
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插入损耗0.8分贝
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隔离45分贝
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P1dB33 dBm (@8.0GHz)
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P1dB1.99 瓦
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力量31分贝
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力量1.26 瓦
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IIP358分贝
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IIP3 (W)630 瓦
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电源电压3.0 至 3.55 V
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电源电流90 微安
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包装类型表面贴装
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包裹32LD 5x5 QFN
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RoHS是的