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PE43610
pSemi 的 PE43610 是一款 6 位数字步进衰减器,工作频率范围为 9 kHz 至 13 GHz。它的衰减范围为 0-31.5 dB,步长为 0.5 dB。该 DSA 具有无毛刺衰减状态转换,控制电压为 1.8 V,具有可选的 VSS_EXT 旁路模式以提高杂散性能,使该器件非常适合测试和测量、点对点通信系统和极小孔径终端(甚小口径终端)。它提供了一个集成的数字控制接口,支持衰减的串行和并行编程。该衰减器能够在 13 GHz 带宽内保持 0.5 dB 和 1 dB 的单调性,并且在 RF 端口上不需要任何外部隔直电容器。
PE43610 采用 pSemi 的 UltraCMOS 工艺制造,该工艺是蓝宝石衬底上绝缘体上硅 (SOI) 技术的专利变体,具有 GaAs 的性能以及传统 CMOS 的经济性和集成度。它采用 4 x 4 mm 24 引脚 LGA 封装。
PE43610 采用 pSemi 的 UltraCMOS 工艺制造,该工艺是蓝宝石衬底上绝缘体上硅 (SOI) 技术的专利变体,具有 GaAs 的性能以及传统 CMOS 的经济性和集成度。它采用 4 x 4 mm 24 引脚 LGA 封装。
pSemi 的 PE43610 是一款 6 位数字步进衰减器,工作频率范围为 9 kHz 至 13 GHz。它的衰减范围为 0-31.5 dB,步长为 0.5 dB。该 DSA 具有无毛刺衰减状态转换,控制电压为 1.8 V,具有可选的 VSS_EXT 旁路模式以提高杂散性能,使该器件非常适合测试和测量、点对点通信系统和极小孔径终端(甚小口径终端)。它提供了一个集成的数字控制接口,支持衰减的串行和并行编程。该衰减器能够在 13 GHz 带宽内保持 0.5 dB 和 1 dB 的单调性,并且在 RF 端口上不需要任何外部隔直电容器。
PE43610 采用 pSemi 的 UltraCMOS 工艺制造,该工艺是蓝宝石衬底上绝缘体上硅 (SOI) 技术的专利变体,具有 GaAs 的性能以及传统 CMOS 的经济性和集成度。它采用 4 x 4 mm 24 引脚 LGA 封装。
产品规格
产品详情
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零件号PE43610
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制造商pSemi,村田公司
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描述9 kHz 至 13 GHz 的 6 位数字步进衰减器
一般参数
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类型数字的
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应用点对点、测试与测量、VSAT
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频率9 kHz 至 13 GHz
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位5 位、6 位
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衰减范围0 至 31 dB(5 位)/0 至 31.5 dB(6 位)
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衰减步骤0.5 / 1分贝
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力量0.63 瓦(CW)、1.25 瓦(脉冲)
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P1dB32 至 34 dBm
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IIP350分贝
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插入损耗1.6 至 3 分贝
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切换时间330 到 430 纳秒
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稳定时间500 纳秒
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电源电压2.3 至 5.5 V
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控制电压1.8V
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当前的170 至 260 微安
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阻抗50 欧姆
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回波损耗13分贝
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包装类型表面贴装
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包裹24 引脚 LGA
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方面4 x 4 毫米
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工作温度-40 至 105 摄氏度
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贮存温度-65 至 150 摄氏度