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PE43508
pSemi 的 PE43508 是一款 6 位、50 欧姆的数字步进衰减器,工作频率范围为 9 kHz 至 55 GHz。它的衰减范围为 31.5 dB,步长为 0.5 dB 和 1 dB,并且能够通过其 55 GHz 带宽保持 0.5 dB 和 1 dB 的单调性。这种高性能 DSA 具有低插入损耗、低衰减误差和良好的回波损耗。它还提供毛刺安全衰减状态转换,这意味着在状态转换期间不会增加功率尖峰。
PE43508 采用 pSemi 的 UltraCMOS® 工艺制造,该工艺是绝缘体上硅 (SOI) 技术的专利变体。它以倒装芯片、单片芯片的形式提供,是测试和测量、点对点通信系统和甚小孔径终端 (VSAT) 的理想选择。DSA 具有 -40°C 至 +105°C 的扩展温度范围、1 kV 的 HBM ESD 额定值以及支持串行寻址和并行编程的易于使用的数字控制接口。
PE43508 采用 pSemi 的 UltraCMOS® 工艺制造,该工艺是绝缘体上硅 (SOI) 技术的专利变体。它以倒装芯片、单片芯片的形式提供,是测试和测量、点对点通信系统和甚小孔径终端 (VSAT) 的理想选择。DSA 具有 -40°C 至 +105°C 的扩展温度范围、1 kV 的 HBM ESD 额定值以及支持串行寻址和并行编程的易于使用的数字控制接口。
pSemi 的 PE43508 是一款 6 位、50 欧姆的数字步进衰减器,工作频率范围为 9 kHz 至 55 GHz。它的衰减范围为 31.5 dB,步长为 0.5 dB 和 1 dB,并且能够通过其 55 GHz 带宽保持 0.5 dB 和 1 dB 的单调性。这种高性能 DSA 具有低插入损耗、低衰减误差和良好的回波损耗。它还提供毛刺安全衰减状态转换,这意味着在状态转换期间不会增加功率尖峰。
PE43508 采用 pSemi 的 UltraCMOS® 工艺制造,该工艺是绝缘体上硅 (SOI) 技术的专利变体。它以倒装芯片、单片芯片的形式提供,是测试和测量、点对点通信系统和甚小孔径终端 (VSAT) 的理想选择。DSA 具有 -40°C 至 +105°C 的扩展温度范围、1 kV 的 HBM ESD 额定值以及支持串行寻址和并行编程的易于使用的数字控制接口。
产品规格
产品详情
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零件号PE43508
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制造商pSemi,村田公司
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描述9 kHz 至 55 GHz 的 UltraCMOS 数字步进衰减器
一般参数
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类型数字的
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频率9 kHz 至 55 GHz
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位6位
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频道1 个频道
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配置固体状态
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衰减范围31.5分贝
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脚步0.5 分贝和 1 分贝
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衰减步骤0.5分贝/1分贝
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插入损耗3.5 dB(13 至 26.5 GHz)、5.5 dB(26.5 至 50 GHz)
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切换时间350 纳秒
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界面TTL/串行/并行
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阻抗50 欧姆
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输出回波损耗14 dB(13 至 26.5 GHz)、11 dB(26.5 GHz 至 50 GHz)
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包装类型模具,表面贴装
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工作温度-40 至 105 摄氏度