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GTVA101K42EV-V1

SiC HEMT 上的高功率 RF GaN 1400 W；50V；0.96 - 1.4GHz

GTVA101K4是一款专门设计的高效率GaN on SiC高电子迁移率晶体管（HEMT）；高增益和宽带宽能力。这使得 GTVA101K4 非常适合 0.96 – 1.4 GHz 频段的应用。该晶体管可用于从 UHF 到 1.4 GHz 的特定频段应用。

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LTN/GTVA101K42EV-V1

SiC HEMT 上的高功率 RF GaN 1400 W；50V；0.96 - 1.4GHz

GTVA101K4是一款专门设计的高效率GaN on SiC高电子迁移率晶体管（HEMT）；高增益和宽带宽能力。这使得 GTVA101K4 非常适合 0.96 – 1.4 GHz 频段的应用。该晶体管可用于从 UHF 到 1.4 GHz 的特定频段应用。

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PTVA101K02EV-V1

高功率 RF LDMOS FET 1000 W；50V；1030 / 1090 兆赫
PTVA101K02EV LDMOS FET 设计用于 1030 MHz / 1090 MHz 频段的功率放大器应用。其特点包括具有螺栓固定法兰的高增益和耐热增强型封装。采用Wolfspeed先进的LDMOS工艺制造；该器件提供出色的热性能和卓越的可靠性。

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CGHV14800F

800-W；1200 – 1400 MHz；用于 L 波段雷达系统的 GaN HEMT

Wolfspeed 的 CGHV14800 是一款专为高效率设计的氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)；高增益和宽带宽能力；这使得 CGHV14800 非常适合 1.2 – 1.4 GHz L 波段雷达放大器应用。封装选项包括陶瓷/金属法兰 (CGHV14800F) 和药丸封装 (CGHV14800P)。

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CGHV14800F-AMP

800-W；1200 – 1400 MHz；用于 L 波段雷达系统的 GaN HEMT

Wolfspeed 的 CGHV14800 是一款专为高效率设计的氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)；高增益和宽带宽能力；这使得 CGHV14800 非常适合 1.2 – 1.4 GHz L 波段雷达放大器应用。封装选项包括陶瓷/金属法兰 (CGHV14800F) 和药丸封装 (CGHV14800P)。

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CGHV14800F1

Wolfspeed 的 CGHV14800 是一款专为高效率设计的氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)；高增益和宽带宽能力；这使得 CGHV14800 非常适合 1.2 – 1.4 GHz L 波段雷达放大器应用。封装选项包括陶瓷/金属法兰 (CGHV14800F) 和药丸封装 (CGHV14800P)。

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