Microchip Technology 碳化硅 (SiC) MOSFET

与传统的硅 (Si) 功率MOSFET相比，Microsemi/Microchip 碳化硅 (SiC) MOSFET 具有良好的动态性能和热性能。这些MOSFET具有低电容、低栅极电荷、快速开关速度以及良好的耐雪崩性能。这些碳化硅MOSFET能够在175°C的高结温下稳定工作。这些MOSFET具有高效率和低开关损耗。这些碳化硅MOSFET无需任何续流二极管，降低了系统成本。典型应用包括智能电网输配电、感应加热和焊接、供电及配电。

特性

• 低电容和低栅极电荷
• 良好的动态性能和热性能
• 快速开关速度
• 在175°C结温下稳定工作
• 快速、可靠的体二极管
• 高雪崩耐受性

• 效率高，开关损耗低
• 易于驱动
• 无需外部续流二极管
• 较低系统成本
• 符合AEC-Q101标准

应用

• 驱动系统
• 汽车
• 商业航空
• 集成车辆系统
• 医学成像

• 电机控制
• 光伏解决方案
• 动力传动系统和电动汽车充电
• 遗产安全
• 无人机 (UAV)
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