Microchip Technology 32位SAM G微控制器
Microchip Technology 32位SAM G微控制器
Microchip Technology 32位SAM G微控制器优化用于超低功耗和高性能应用。SAM G MCU的小尺寸基于Arm® Cortex®-M4F内核，与浮点单元 (FPU) 捆绑，采用微型3mm x 3mm、49焊球WLCSP封装，效率无与伦比。SAM G MCU具有一套高效串行外设，包括12位模数转换器 (ADC)、直接内存访问 (DMA) 和良好的SRAM对闪存比。SAM G器件非常适合用于传感器集线器和电池供电消费类应用。
Microchip Technology SAM G MCU有四种型号可供选择，即SAM G51、SAM G53、SAM G54和SAM G55 这些器件完全兼容，甚至低至WLCSP封装。
SAM G51 MCU具有256KB闪存和64KB SRAM。该器件具有一个USART、两个UART、两个I2C、多达两个SPI、一个8通道12位37kSPS ADC和18个外设DMA控制器 (PDC) 通道。有源模式下的功耗为103µA/MHz，等待模式下为6.8µA。从等待模式到主动模式的唤醒时间为3.2µs。
SAM G53 MCU基于SAMG 51，具有512KB闪存和96KB SRAM。这些器件还添加了第二个16位定时器、两个I2S通道和28个 PDC通道。有源模式下的功耗为102µA/MHz，等待模式下为8µA。从等待模式到主动模式的唤醒时间不足5µs。
SAM G54 MCU通过增加速度构建SAM G53，运行频率高达96MHz。这些器件具有相同的低功耗。
SAM G55 MCU通过增加速度构建SAM G54，运行频率高达120Mhz。这些器件还包括176KB SRAM和全速USB。
特性
- SAM G55 MCU
- 基于Arm Cortex-M4的MCU，在I/D总线上具有高达16KB的SRAM，提供高达120MHz的0等待状态执行
- 高达512KB嵌入式闪存和176KB SRAM
- 带嵌入式引导加载程序的8KB ROM，全速单周期访问
- 有源模式下的功耗为102µA/MHz
- 低功耗模式
- 等待模式：8µA
- 从等待模式到有源模式的唤醒时间：<5µs
- FPU
- DSP指令
- 12位8通道ADC
- 49焊球WLCSP、64引脚LQFP和 64引脚QFN封装选项
- SAM G53 MCU
- 基于Arm Cortex-M4的MCU，运行频率高达48MHz
- 512KB嵌入式闪存和96KB SRAM
- 有源模式下的功耗为102µA/MHz
- 低功耗模式
- 等待模式：8µA
- 从等待模式到有源模式的唤醒时间：<5µs
- FPU
- DSP指令
- 12位8通道ADC
- 49焊球WLCSP、100引脚LQFP封装选项
- SAM G54 MCU
- 基于Arm Cortex-M4的MCU，运行频率高达96MHz
- 512KB嵌入式闪存和96KB SRAM
- 有源模式下的功耗为102µA/MHz
- 低功耗模式
- 等待模式：8µA
- 从等待模式到有源模式的唤醒时间：<5µs
- FPU
- DSP指令
- 12位8通道ADC
- 49焊球WLCSP、100引脚LQFP封装选项
- SAM G51 MCU
- 基于Arm Cortex-M4的MCU，运行频率高达48MHz
- 高达256KB嵌入式闪存和64KB SRAM
- 有源模式下的功耗为103µA/MHz
- 低功耗模式
- 等待模式：6.8µA
- 从等待模式到主动模式的唤醒时间为3.2µs
- FPU
- DSP指令
- 12位8通道模数转换器 (ADC)
- 49焊球WLCSP、100引脚LQFP封装选项
应用
- 物联网
- 边缘节点
- 传感器聚合器
- 数据集中器
- 可穿戴设备
- 便携式医疗保健设备
- 健身监测器
- 智能手表
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