FLU35ZME1
零件号： FLU35ZME1
功能： L 波段中高功率 GaAs FET
特征
高输出功率：P1dB=35.5dBm(typ.)
高增益：G1dB=11.5dB(typ.)
低成本塑料 (SMT) 封装
提供卷带式
FLU35ZME1 是一款 GaAs FET，专为频率范围高达 4.0GHz 的基站和 CPE 应用而设计。这是一个新产品系列，采用塑料表面贴装封装，已针对大批量成本驱动的应用进行了优化。住友电工严格的质量保证计划可确保最高的可靠性和始终如一的性能。
功能： L 波段中高功率 GaAs FET
特征
高输出功率：P1dB=35.5dBm(typ.)
高增益：G1dB=11.5dB(typ.)
低成本塑料 (SMT) 封装
提供卷带式
FLU35ZME1 是一款 GaAs FET，专为频率范围高达 4.0GHz 的基站和 CPE 应用而设计。这是一个新产品系列，采用塑料表面贴装封装，已针对大批量成本驱动的应用进行了优化。住友电工严格的质量保证计划可确保最高的可靠性和始终如一的性能。
产品规格
产品详情
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零件号FLU35ZME1
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制造商住友电工设备创新
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描述2 GHz，增益 GaAs FET
一般参数
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晶体管类型场效应管
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技术砷化镓
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申请类型L波段
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频率2GHz
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力量34.5 至 35.5 dBm
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功率(W)2.82 至 3.55 瓦
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P1dB34.5 至 35.5 dBm
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功率增益 (Gp)10.5 至 11.5 分贝
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班级三
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电源电压10 伏
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电压 - 栅源 (Vgs)-5 伏
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漏电流1200 至 1800 毫安
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热阻5 到 6 度 C/W
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包装类型表面贴装
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包裹ZM
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RoHS是的
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贮存温度-55 至 150 摄氏度
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笔记夹断电压：-3.5 至 -1 V，正向栅极电流：19.4 mA，反向栅极电流：-2 mA，栅极电阻：100 欧姆，通道温度：145 摄氏度
