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产品中心
FLM5964-18F/001
零件号: FLM5964-18F
功能 :C 波段内部匹配 FET
特征
高输出功率:P1dB = 43.0dBm(典型值)
高增益:G1dB = 10.0dB (Typ.)
高 PAE:hadd = 37%(典型值)
低 IM3 = -46dBc@Po = 32.0dBm
宽带:5.9 至 6.4GHz
阻抗匹配锌/盐 = 50Ω
密封封装
FLM5964-18F 是一款功率 GaAs FET,内部匹配标准通信频段,可在 50Ω 系统中提供最佳功率和增益。住友电工严格的质量保证计划确保最高的可靠性和始终如一的性能
功能 :C 波段内部匹配 FET
特征
高输出功率:P1dB = 43.0dBm(典型值)
高增益:G1dB = 10.0dB (Typ.)
高 PAE:hadd = 37%(典型值)
低 IM3 = -46dBc@Po = 32.0dBm
宽带:5.9 至 6.4GHz
阻抗匹配锌/盐 = 50Ω
密封封装
FLM5964-18F 是一款功率 GaAs FET,内部匹配标准通信频段,可在 50Ω 系统中提供最佳功率和增益。住友电工严格的质量保证计划确保最高的可靠性和始终如一的性能
Sumitomo Electric Device Innovations 的 FLM5964-18F/001 是一款射频晶体管,频率为 5.85 至 6.75 GHz,功率 42.5 dBm,功率 (W) 17.78 W,P1dB 42.5 dBm,功率增益 (Gp) 9 dB。FLM5964-18F/001 的更多详细信息如下所示。

产品规格
产品详情
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零件号FLM5964-18F/001
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制造商住友电工设备创新
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描述5.85 至 6.75 GHz,增益 GaAs FET
一般参数
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晶体管类型场效应管
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技术砷化镓
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频率5.85 至 6.75 GHz
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力量42.5 分贝
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功率(W)17.78 瓦
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P1dB42.5 分贝
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功率增益 (Gp)9分贝
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热阻1.6 度 C/W
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包裹国际文凭组织
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工作温度25摄氏度