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产品中心
FLM5964-4F/001
零件号: FLM5964-4F/001
班级: 功率 GaAs > 内部匹配的高功率 GaAs FET
功能: C 波段内部匹配 FET
特征
高输出功率:P1dB=36.5dBm(Typ.)
高增益:G1dB=9.5dB(Typ.)
高 PAE:hadd=35%(Typ.)
宽带:5.85 至 6.75GHz
阻抗匹配 Zin/Zout = 50Ω
密封封装
描述 FLM5964-4F/001 是一款功率 GaAs FET,内部匹配标准通信频段,可在 50ohm 系统中提供最佳功率和增益。
班级: 功率 GaAs > 内部匹配的高功率 GaAs FET
功能: C 波段内部匹配 FET
特征
高输出功率:P1dB=36.5dBm(Typ.)
高增益:G1dB=9.5dB(Typ.)
高 PAE:hadd=35%(Typ.)
宽带:5.85 至 6.75GHz
阻抗匹配 Zin/Zout = 50Ω
密封封装
描述 FLM5964-4F/001 是一款功率 GaAs FET,内部匹配标准通信频段,可在 50ohm 系统中提供最佳功率和增益。
Sumitomo Electric Device Innovations 的 FLM5964-4F/001 是一款射频晶体管,频率为 5.85 至 6.75 GHz,功率 36.5 dBm,功率 (W) 4.47 W,P1dB 36.5 dBm,功率增益 (Gp) 9.5 dB。FLM5964-4F/001 的更多详细信息如下所示。
产品规格
产品详情
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零件号FLM5964-4F/001
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制造商住友电工设备创新
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描述5.85 至 6.75 GHz,增益 GaAs FET
一般参数
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晶体管类型场效应管
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技术砷化镓
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频率5.85 至 6.75 GHz
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力量36.5 分贝
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功率(W)4.47 瓦
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P1dB36.5 分贝
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功率增益 (Gp)9.5分贝
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阻抗 Z50 欧姆
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热阻5 度 C/W
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包裹我知道
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工作温度25摄氏度