特征
- 34 dB 小信号增益
- 40 W 典型 PSAT
- 工作电压高达 28 V
- 高击穿电压
PRODUCT CENTER
产品中心
Wolfspeed 的 CMPA601C025 是一款碳化硅衬底上基于氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 的单片微波集成电路 (MMIC);采用 0.25μm 栅极长度制造工艺。与硅相比,SiC 上的 GaN 具有更优越的性能;砷化镓或硅基氮化镓;包括更高的击穿电压;更高的饱和电子漂移速度和更高的热导率。与 Si 相比,GaN HEMT 还提供更高的功率密度和更宽的带宽;砷化镓;和硅基氮化镓晶体管。该 MMIC 包含电抗匹配放大器设计方法,可实现非常宽的带宽。