特征
- 输入匹配
- 能够处理 10:1 VSWR @50 V；200W（连续波）输出功率
- 集成 ESD 保护
- 低热阻
- 无铅且符合 RoHS 标准
PTVA102001EA-V1
高功率 RF LDMOS FET 200 W；50V；960 – 1600 兆赫
PTVA102001EA 是一款 200 瓦 LDMOS FET，适用于 960 至 1600 MHz 频段的功率放大器应用。其特点包括具有螺栓固定法兰的高增益和耐热增强型封装。采用Wolfspeed先进的LDMOS工艺制造；该器件提供出色的热性能和卓越的可靠性。
PTVA102001EA 是一款 200 瓦 LDMOS FET，适用于 960 至 1600 MHz 频段的功率放大器应用。其特点包括具有螺栓固定法兰的高增益和耐热增强型封装。采用Wolfspeed先进的LDMOS工艺制造；该器件提供出色的热性能和卓越的可靠性。
高功率 RF LDMOS FET 200 W；50V；960 – 1600 兆赫
PTVA102001EA 是一款 200 瓦 LDMOS FET，适用于 960 至 1600 MHz 频段的功率放大器应用。其特点包括具有螺栓固定法兰的高增益和耐热增强型封装。采用Wolfspeed先进的LDMOS工艺制造；该器件提供出色的热性能和卓越的可靠性。
应用领域
- 960 至 1600 MHz 频段的功率放大器
