GTVA107001EFC-V1
SiC HEMT 上的高功率 RF GaN 700 W；50V；960 – 1215 兆赫
GTVA107001EC 是一款 700 瓦碳化硅基氮化镓高电子迁移率晶体管 (HEMT)，适用于 960 至 1215 MHz 频段。它具有输入匹配功能；高效率; 和耐热增强型封装；带螺栓固定法兰。
GTVA107001EC 是一款 700 瓦碳化硅基氮化镓高电子迁移率晶体管 (HEMT)，适用于 960 至 1215 MHz 频段。它具有输入匹配功能；高效率; 和耐热增强型封装；带螺栓固定法兰。
SiC HEMT 上的高功率 RF GaN 700 W；50V；960 – 1215 兆赫
GTVA107001EC 是一款 700 瓦碳化硅基氮化镓高电子迁移率晶体管 (HEMT)，适用于 960 至 1215 MHz 频段。它具有输入匹配功能；高效率; 和耐热增强型封装；带螺栓固定法兰。
特征
最小频率 0.96GHz
最大频率 1.215GHz
峰值输出功率 700瓦
工作电压 50V
