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CHA7060-QAB
CHA7060-QAB 是一款两级单片 GaN 高功率放大器,可在 6-9GHz 带宽内达到 12 瓦输出功率。
它提供高线性性能,增益为 30dB,EVM 为 33dB @34dBm 平均 Pout(56MHz 调制带宽,4QAM)。
该电路基于GaN技术;150nm 碳化硅氮化镓(AlGaN/SiC 氮化镓)。
它是一种低成本塑料封装,专为点对点无线电应用而设计。
它采用符合 RoHS 标准的 SMD 封装。
它提供高线性性能,增益为 30dB,EVM 为 33dB @34dBm 平均 Pout(56MHz 调制带宽,4QAM)。
该电路基于GaN技术;150nm 碳化硅氮化镓(AlGaN/SiC 氮化镓)。
它是一种低成本塑料封装,专为点对点无线电应用而设计。
它采用符合 RoHS 标准的 SMD 封装。
CHA7060-QAB 是一款两级单片 GaN 高功率放大器,可在 6-9GHz 带宽内达到 12 瓦输出功率。
它提供高线性性能,增益为 30dB,EVM 为 33dB @34dBm 平均 Pout(56MHz 调制带宽,4QAM)。
该电路基于GaN技术;150nm 碳化硅氮化镓(AlGaN/SiC 氮化镓)。
它是一种低成本塑料封装,专为点对点无线电应用而设计。
它采用符合 RoHS 标准的 SMD 封装。
功能
放大器 – HPA
参考产品
CHA7060-QAB
射频带宽 (GHz) 最小值-最大值
5.6 - 8.5
增益(分贝)
30
PAE(%)
40 @ 41dBm 平均 Pout