产品分类结果页

PRODUCT CENTER

产品中心

넳 넲

产品分类

CHX2090-QDG

HX2090-QDG 是一款可级联倍频器单片电路，集成了输出缓冲放大器，可在输入功率范围内产生恒定输出功率。

它专为广泛的应用而设计，从军事到商业通信系统。

该电路采用 pHEMT 工艺制造，栅极长度为 0.25µm，通过衬底通孔、空气桥和电子束栅极光刻。

它采用符合 RoHS 标准的 SMD 封装。

¥ 0.00

立即购买
CHA2411-QDG

CHA2411-QDG 是一款 K 波段低噪声放大器，通过 +5V 单偏置电源提供 26dB 增益和 2.5dB 噪声系数。

该电路采用 pHEMT 工艺制造，栅极长度为 0.25µm，通过衬底通孔、空气桥和电子束栅极光刻。

它采用符合 RoHS 标准的 SMD 封装。

¥ 0.00

立即购买
CHA3688aQDG

CHA3688aQDG 是一款三级自偏置宽带单片低噪声放大器单片电路。

该电路采用 pHEMT 工艺制造，栅极长度为 0.25µm，通过衬底通孔、空气桥和电子束栅极光刻。

它采用符合 RoHS 标准的 SMD 封装。

¥ 0.00

立即购买
CHA3666-SNF

United Monolithic Semiconductors 的 CHA3666-SNF 是一款射频放大器，频率为 5.8 至 16 GHz，小信号增益为 16 至 20 dB pk-pk，增益平坦度 ±1 dB，噪声系数为 2.1 至 2.8 dB，P1dB 为 14.5 至 16 dBm。标签：表面贴装，低噪声放大器。

¥ 0.00

立即购买
CHA3024-FDB

CHA3024-FDB 是一款具有可调增益控制 (AGC) 的分布式低噪声放大器，工作频率在 2 至 22GHz 之间。

它专为广泛的应用而设计，例如电子战、X 和 Ku 点对点无线电以及测试仪器。

该电路采用 pHEMT 工艺、0.15µm 栅极长度、穿过衬底的通孔、空气桥和电子束栅极光刻技术制造。

它采用符合 RoHS 标准的 SMD 封装。

¥ 0.00

立即购买
CHKA011aSXA

CHKA011aSXA 是一款无与伦比的封装氮化镓高电子迁移率晶体管。

它为各种射频功率应用提供通用和宽带解决方案。它非常适合雷达和电信等多用途应用。

CHKA011aSXA 采用 0.5µm 栅极长度 GaN HEMT 工艺开发。它需要一个外部匹配电路。

它采用陶瓷金属法兰电源封装，符合 RoHs N°2011/65 和 REACH N°1907/2006 指令。

¥ 0.00

立即购买