PRODUCT CENTER
产品中心
CHK015AaQIA
CHK015AaQIA 是一款无与伦比的封装氮化镓高电子迁移率晶体管。
它为各种射频功率应用提供通用和宽带解决方案。它非常适合雷达和电信等多用途应用。
CHK015AaQIA 采用 0.5µm 栅极长度 GaN HEMT 工艺开发。它需要一个外部匹配电路。
建议采用低成本塑料封装,提供低寄生和低热阻。
它为各种射频功率应用提供通用和宽带解决方案。它非常适合雷达和电信等多用途应用。
CHK015AaQIA 采用 0.5µm 栅极长度 GaN HEMT 工艺开发。它需要一个外部匹配电路。
建议采用低成本塑料封装,提供低寄生和低热阻。
United Monolithic Semiconductors 的 CHK015AaQIA 是一款射频晶体管,频率 DC 至 4 GHz,饱和功率 15 至 20 W,占空比 10%,小信号增益 16 至 18 dB,功率附加效率 55%。有关 CHK015AaQIA 的更多详细信息,请参见下文。

产品规格
产品详情
-
零件号CHK015AaQIA
-
制造商联合单片半导体
-
描述15 至 20 W,GaN HEMT 晶体管形成 DC 至 4 GHz
一般参数
-
晶体管类型HEMT
-
技术碳化硅上氮化镓、氮化镓
-
应用行业蜂窝,雷达
-
应用通用,5G
-
连续波/脉冲连续波,脉冲
-
频率直流至 4 GHz
-
饱和功率15 至 20 瓦
-
占空比10%
-
小信号增益16 至 18 分贝
-
功率附加效率55%
-
电源电压50 伏
-
输入功率30分贝
-
击穿电压 - 漏源180 伏
-
漏电流800毫安
-
栅极漏电流 (Ig)-0.8 安
-
结温 (Tj)185摄氏度
-
RoHS是的
-
年级商业的
-
工作温度-40 至 85 摄氏度
-
贮存温度-55 至 150 摄氏度