PRODUCT CENTER
产品中心
CHZ9012-QFA
CHZ9012-QFA 是一款基于 GaN 功率棒和 GaAs 输入输出匹配电路的 S 波段准 MMIC 高功率放大器。
它采用 UMS 0.25µm GaN on SiC 和 GaAs MMIC 大功率 UMS 无源技术制造。
CHZ9012-QFA 在 50 欧姆上完全匹配。它可以在以下几种操作条件下使用,以满足系统要求。该产品专用于广泛的应用,从军用雷达系统到商业雷达系统。
CHZ9012-QFA 采用低成本塑料封装,提供低寄生和低热阻。本产品采用符合 RoHS 标准的 SMD 封装。
它采用 UMS 0.25µm GaN on SiC 和 GaAs MMIC 大功率 UMS 无源技术制造。
CHZ9012-QFA 在 50 欧姆上完全匹配。它可以在以下几种操作条件下使用,以满足系统要求。该产品专用于广泛的应用,从军用雷达系统到商业雷达系统。
CHZ9012-QFA 采用低成本塑料封装,提供低寄生和低热阻。本产品采用符合 RoHS 标准的 SMD 封装。
United Monolithic Semiconductors 的 CHZ9012-QFA 是一款射频晶体管,频率为 2.7 至 3.4 GHz,饱和功率为 65 W,占空比为 10 至 30%,增益为 16 dB,功率附加效率为 50 至 55%。有关 CHZ9012-QFA 的更多详细信息,请参见下文。


产品规格
产品详情
-
零件号CHZ9012-QFA
-
制造商联合单片半导体
-
描述65 W,GaN HEMT 晶体管,频率为 2.7 至 3.4 GHz
一般参数
-
晶体管类型HEMT
-
技术碳化硅上氮化镓、氮化镓
-
应用行业蜂窝、雷达、军事、商业
-
应用通用,5G
-
连续波/脉冲连续波,脉冲
-
频率2.7 至 3.4 GHz
-
饱和功率65 瓦
-
脉冲宽度3 毫秒
-
占空比10% 到 30%
-
获得16分贝
-
功率附加效率50 至 55%
-
电源电压50 伏
-
漏电流4000毫安
-
结温 (Tj)230摄氏度
-
方面8 x 8 毫米
-
RoHS是的
-
年级商业的
-
贮存温度-55 至 150 摄氏度