CHK8013-99F

CHK8013-99F 是一款 14W 氮化镓高电子迁移率晶体管。

该产品为雷达和电信等各种射频功率应用提供通用和宽带解决方案。

该电路采用 SiC 衬底上的 0.25µm 栅极长度 GaN HEMT 技术制造。

它以裸片形式提出，需要外部匹配电路。

UMS 的 CHK8013-99F 是一款 GaN 功率晶体管，可在 DC 至 10 GHz 的脉冲和 CW 工作模式下工作。它提供 14 瓦的饱和输出功率和 17 dB 的小信号增益，并具有 70% 的 PAE。该器件需要 30 V 的电源电压。它是在 SiC 衬底上使用 0.25µm 栅极长度的 GaN HEMT 技术制造的，并且需要外部匹配电路。这种高电子迁移率晶体管可用作尺寸为 0.9 x 1.2 x 0.1 mm 的芯片，非常适合雷达和电信等各种射频功率应用。