特征
- 输入匹配
- 典型的脉冲连续波性能（AB 级）；1200兆赫；50V；300μs脉冲宽度；10%占空比；输出功率（P3dB）=600W；排水效率=65%；增益 = 18 分贝
- 在脉冲条件下能够承受 600 W 峰值功率下的 10:1 负载失配（所有相位角）：300 μs 脉冲宽度；10%占空比；电源电压 = 50V；IDQ=100毫安
- 人体模型 1C 级（根据 AnSI/ESDA/JEDEC JS-001）
- 无铅且符合 RoHS 标准
GTVA126001FC-V1
GTVA126001EC 和 GTVA126001FC 是 600 瓦碳化硅基氮化镓高电子迁移率晶体管 (HEMT)，适用于 1200 至 1400 MHz 频段。它们具有输入匹配功能；高效率; 和耐热增强型封装。
SiC HEMT 上的高功率 RF GaN；600瓦；50V；1200MHz 至 1400MHz
GTVA126001EC 和 GTVA126001FC 是 600 瓦碳化硅基氮化镓高电子迁移率晶体管 (HEMT)，适用于 1200 至 1400 MHz 频段。它们具有输入匹配功能；高效率; 和耐热增强型封装。
应用领域
- 雷达放大器
