特征
- 输入匹配
- 典型的脉冲连续波性能（AB 级）；1030兆赫；50V；128μs脉冲宽度；10%占空比；输出功率P3dB=890W；排水效率=75%；增益 = 18 分贝
- 能够承受 10:1 负载失配（脉冲条件下 700 W 峰值功率下的所有相位角：50 V；100 mA IDQ；128 μs 脉冲宽度；10% 占空比
- 人体模型类 IC（根据 ANSI/ESDA/JEDEC JS-001）
- 无铅且符合 RoHS 标准
GTVA107001FC-V1
SiC HEMT 上的高功率 RF GaN 700 W；50V；960 – 1215 兆赫
GTVA107001EC 是一款 700 瓦碳化硅基氮化镓高电子迁移率晶体管 (HEMT)，适用于 960 至 1215 MHz 频段。它具有输入匹配功能；高效率; 和耐热增强型封装；带螺栓固定法兰。
GTVA107001EC 是一款 700 瓦碳化硅基氮化镓高电子迁移率晶体管 (HEMT)，适用于 960 至 1215 MHz 频段。它具有输入匹配功能；高效率; 和耐热增强型封装；带螺栓固定法兰。
SiC HEMT 上的高功率 RF GaN 700 W；50V；960 – 1215 兆赫
GTVA107001EC 是一款 700 瓦碳化硅基氮化镓高电子迁移率晶体管 (HEMT)，适用于 960 至 1215 MHz 频段。它具有输入匹配功能；高效率; 和耐热增强型封装；带螺栓固定法兰。
应用领域
- 雷达放大器
